NM KORTELĖ

Nano atminties kortelė – sutrumpintai vadinama NM kortelė – tokios pat formos ir dydžio kaip Nano SIM, ją galima naudoti su dviejų SIM dėklu suderinamame Huawei įrenginyje. „Huawei“ paskelbė apie „Nano“ kortelės alternatyvą „Micro SD“ kortelei po 2019. Ji yra tik perpus mažesnė nei įprasta „Micro SD“ kortelė, tačiau NM kortelė vis tiek yra greita. Pagal technines NM kortelės 1.0 specifikacijas maks. skaitymo ir rašymo našumas yra apie 90 MB/s.

Siųsti užklausą

Šis gaminys taip pat naudoja pagrindinį eMMC 5.1 LDPC ECC variklio valdymo lustą. Naudojant 3D NAND Flash, perimama kūrybinio autonominio algoritmo programinės įrangos architektūra. Be to, kad išplečiama NM kortelės talpa mobiliosiose programose, vartotojai taip pat gali naudoti NM kortelę. Nenaudojamos programos ir šalti didelių failų duomenys perkeliami, kad būtų išleistas mobilusis telefonas. Turima originalios saugyklos talpa pagerina telefono tarnavimo laiką ir išleidimo našumą.

Galima talpa ir greitis:

Talpa	Skaitymo greitis (MB/S)	Rašymo greitis (MB/S)	Blykstės tipas	Pakuotės dydis
64 GB	93 MB/S	83 MB/S	TLC 512Gbx1	12,3x8,8x0,7 mm
128 GB	93 MB/S	83 MB/S	TLC 512Gbx2	12,3x8,8x0,7 mm
256 GB	93 MB/S	83 MB/S	TLC 512Gbx4	12,3x8,8x0,7 mm

NM kortelės fizinio kontūro parametras

Tipas	Matavimas
Ilgis	8,8 mm plius / -0,1 mm (B)
Plotis	12,3 mm plius / -0,1 mm (A)
Storis	0.8 mm plius / -0.05 mm (C1)
Paviršius	Paprastas (išskyrus kontaktinę sritį)
Kraštai	Lygūs kraštai

NM kortelė Fizinė aplinka Parametras

Įtampa	Vcc=3.3V
Temperatūra	Veikia: nuo -20 laipsnio iki 70 laipsnių Neveikia: -40 laipsnis iki 85 laipsnių
Drėgmė	nuo 25 procentų iki 95 procentų
ESD apsauga	Kontaktiniai blokeliai: plius /-4KV, žmogaus kūnas Oro išleidimas: plius /-8KV(oro išleidimas); Sukabinimo plokštumos išlydis: -8KV
Lenkimas	10N
Sukimo momentas	0.15 N.m
Kritimo testas	1,5 m laisvas kritimas

NM kortelės brėžinys:

Sąsajos aprašymas

Simbolis		Tipas	apibūdinimas
1	CLK	Įvestis	Laikrodis: kiekvienas laikrodžio ciklas nukreipia perdavimą į komandinę eilutę ir duomenų eilutę (-es). Dažnis gali skirtis nuo minimalaus iki didžiausio laikrodžio dažnio.
2 4 5 8	DAT0 DAT2 DAT3 DAT8	I/O	Duomenų įvestis/išvestis: tai dvikrypčiai duomenų signalai. DAT signalai veikia „push-pull“ režimu. Pagal numatytuosius nustatymus. MMC valdiklis gali sukonfigūruoti platesnę duomenų magistralę duomenų perdavimui naudodamas DAT[3:0] (4-bitų režimas)
3	VCC	Tiekimas	VCC: NAND sąsaja (I/F) I/O ir NAND Flash maitinimo šaltinis.
6	GND	Tiekimas	valdiklio šerdis ir e·MMC I/F įžeminimo jungtis. NAND I/FI/O ir NAND Flash įžeminimo jungtis
7	CMD	I/O	Komanda: šis signalas yra dvikryptis komandų kanalas, naudojamas komandoms ir atsakams perduoti. CMD signalas turi du magistralės režimus: atviro nutekėjimo režimą ir „push-pull“ režimą (žr. „Darbo režimai“). Komandos siunčiamos iš MMC pagrindinio kompiuterio į įrenginį, o atsakymai siunčiami iš įrenginio į pagrindinį kompiuterį.

Įrenginiai palaiko NM atminties kortelę

Simbolis		Tipas	apibūdinimas
1	CLK	Įvestis	Laikrodis: kiekvienas laikrodžio ciklas nukreipia perdavimą į komandinę eilutę ir duomenų eilutę (-es). Dažnis gali skirtis nuo minimalaus iki didžiausio laikrodžio dažnio.
2 4 5 8	DAT0 DAT2 DAT3 DAT8	I/O	Duomenų įvestis/išvestis: tai dvikrypčiai duomenų signalai. DAT signalai veikia „push-pull“ režimu. Pagal numatytuosius nustatymus. MMC valdiklis gali sukonfigūruoti platesnę duomenų magistralę duomenų perdavimui naudodamas DAT[3:0] (4-bitų režimas)
3	VCC	Tiekimas	VCC: NAND sąsaja (I/F) I/O ir NAND Flash maitinimo šaltinis.
6	GND	Tiekimas	valdiklio šerdis ir e·MMC I/F įžeminimo jungtis. NAND I/FI/O ir NAND Flash įžeminimo jungtis
7	CMD	I/O	Komanda: šis signalas yra dvikryptis komandų kanalas, naudojamas komandoms ir atsakams perduoti. CMD signalas turi du magistralės režimus: atviro nutekėjimo režimą ir „push-pull“ režimą (žr. „Darbo režimai“). Komandos siunčiamos iš MMC pagrindinio kompiuterio į įrenginį, o atsakymai siunčiami iš įrenginio į pagrindinį kompiuterį.

Populiarus Žymos: nm kortelė, didmeninė prekyba, kaina, birių, OĮG